Граничное напряжение при I_К=0,1 А, τ_и≤300 мкс, Q≥100

КТ819А, не более

25 В

КТ819Б, 2Т819В

40-60-80 В

КТ819В, 2Т819Б

60-80-100 В

КТ819Г, 2Т819А

80-100-110 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при I_К=5 А, I_Б=0,5 А

2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

1 В

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г

2 В

при I_К=20 А, I_Б=4 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

5 В

при I_К=15 А, I_Б=3 А КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г

4 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более

2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

1,5 В

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г

3 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_К=5 А, не менее

при Т=24,85°С и Т=Т_{К макс}

2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

20

КТ819А, КТ819В

15

КТ819Б

20

КТ819Г

12

при Т=-60,15°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

9

при Т=-40,15°С

КТ819А, КТ819В

10

КТ819Б

15

КТ819Г

7

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_Э=0,5 А

3-5-12 МГц

Время выключения при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более

2,5 мкс

Ёмкость коллекторного перехода при U_КБ=5 В

360-600-1000 пФ

Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, I_К=1 мА и при Т=124,85°С, I_К=5 мА, не менее

2Т819А

100 В

2Т819Б

80 В

2Т819В

60 В

Обратный ток коллектора при U_КБ=40 В, не более КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г

при Т=233-298 К

1 мА

при Т=99,85°С

10 мА

Пробивное напряжение эмиттер-база при I_Э=5 мА, не менее

5 В